劳动者之歌丨蔚翠：破“芯”突围，为国产半导体“铸剑”

　　人物名片

　　蔚翠，1983年4月出生，中共党员，博士学位，中国电科产业基础研究院重点实验室副主任。她带领团队研制出功率密度达国际领先水平的金刚石晶体管、国内首台金刚石氮空位色心微波激射器等核心成果，申请国家发明专利20余项，为我国新一代半导体器件发展提供了核心技术储备。2026年荣获全国五一劳动奖章。

　　在璀璨的科技星空下，有一种材料，既是承载人间美好寓意的钻石，更是被科学家称作支撑大国重器的“终极半导体”材料。它就是金刚石。

　　2011年，从浙江大学博士毕业的蔚翠，走进中国电科产业基础研究院重点实验室，一头扎进金刚石半导体研究领域。彼时，国内金刚石半导体研究几乎空白，没有成熟的技术体系，没有可借鉴的产业化经验，甚至连一些基本的实验数据都难以获取。“金刚石半导体作为关系国家科技安全的关键技术材料，我们不能落后，更不能缺席！”蔚翠的话语坚定有力，这是她的初心，更是团队的誓言。

　　科研之路从无捷径，唯有脚踏实地，攻坚克难。夜幕降临，实验室的灯光常常亮至深夜，蔚翠盯着显微镜下的金刚石衬底样品，指尖在实验记录册上快速标注着数据——这是她和团队连续鏖战的第三个深夜，高纯度、低缺陷单晶金刚石外延材料生长难题，仍像一座大山横在眼前。作为金刚石射频器件的“基石”，外延层纯度与缺陷程度直接决定着后续研发的成败。“没有设备就改装优化，没有经验就摸索试错，科研攻坚本就是迎难而上。”面对困境，蔚翠坚定地鼓舞团队。

　　此次攻坚的金刚石合金工艺，是制备高功率射频器件的核心环节，稍有偏差就会导致器件失效，此前团队历经数十次失败。实验室里，各种精密仪器不停运转，团队成员分工协作，有的调试设备参数，有的记录实验数据，有的对比分析样品差异。

　　蔚翠穿梭在各个实验台之间，时而俯身观察仪器数据，时而和成员低声探讨，不放过任何一个细节。“金刚石器件的应力控制没做好，再用界面过渡层技术优化一次。”她指着实验数据，精准指出问题关键。

　　每周五下午的团队讨论会，是雷打不动的“头脑风暴”时间，更是团队破解难题的“金钥匙”。蔚翠带领团队成员围坐一起，直面迁移率不足、工艺污染等核心难题。有人提出优化外延生长工艺、减少晶体缺陷；有人建议采用新型异质结改善传输性能；年轻队员创新提出调制掺杂、原位生长等新思路……那段时间，团队成员几乎泡在实验室里，反复实验、不断复盘，在无数次试错中排查问题、迭代工艺。

　　当成功生长出高纯度、低缺陷的单晶金刚石外延层，迁移率提升100%以上，工艺污染等一个个难题被攻克，实验室里响起久违的欢呼声。

　　从“板凳要坐十年冷”的坚守，到“敢啃硬骨头”的勇气；从“放手历练”的信任，到“老带新”的帮扶；从实验室到产业化再到应用场景，一项项科研成果实现了从“零”到“一”的突破，不但打破国外垄断，更赋能大国重器：量子科技领域，基于金刚石材料的量子传感器，为地磁导航开辟新路；AI芯片、新能源汽车逆变器中，金刚石热沉材料将芯片结温降低30℃，封装热阻下降近三成……

　　如今，蔚翠团队研制的金刚石核心技术与产品已投入实际应用，实现“轻量化、高性能、长寿命”的突破。蔚翠也先后斩获国防技术发明奖、河北省技术发明奖等多项荣誉，用硬核实力填补国内多项技术空白，推动我国在新一代半导体领域实现从“跟跑”到“领跑”的跨越。

　　“实现引领不容易，要立足原创，筑牢核心能力。”面对未来，蔚翠目光坚定。如今，实验室的灯光依旧常亮，蔚翠继续挺进金刚石半导体“无人区”，围绕更高性能金刚石外延材料制备技术、高功率射频器件研发、科研成果产业化等科研方向，攻坚“独创独有”核心技术，在加快实现高水平科技自立自强的征程上，书写着属于中国科研工作者的奋进华章。

　　记者高会坡